FETタイプ:Pチャンネル ドレイン~ソース間電圧(Vdss):400 V 電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id):1.8A(Tc) 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V Id、Vgs印加時のRds On(最大):7オーム @ 1.1A、10V Id印加時のVgs(th)(最大):4V @ 250A Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大):13 nC @ 10 V Vgs(最大):±20V Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大):270 pF @ 25 V FET機能:電力散逸(最大):50W(Tc) 動作温度:-55°C~150°C(TJ) テープカット
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