IGBTシニアエンジニア（投稿ID : mv51k）

IGBTシニアエンジニアを担当いただきます。 ◆業務内容◆ ・日本のパワーエレクトロニクスチームの構築 ・IGBT製品の性能の世界トップレベル達成を目指し、 製品の企画開発、ウエハープロセスの指導 ・車載用のIGBT放熱性と信頼性を世界トップレベル 達成を目指し、IGBT製品のパッケージ技術を 企画開発、新たなパッケージ材料構造の定型を完成 ・中国本社と連携し、中国のIGBTチームの育成 ・WBG半導体装置の研究開発、設計の指導 ・新たなWBG半導体装置のパッケージ設計の指導 ◆必須業務経験◆ ・マイクロエレクトロニクス及び半導体に関する専攻 ・IGBT領域でトップの人材で、大規模な研究開発チームで 　10年以上のIGBT設計経験及び5年以上の管理経験 ・多数のIGBT設計を率いた完成経験 ・IGBTの製品工程に関して深厚な見解を持ち、 　ウエハープロセスの製品加工技術と方法を指導し、 　製品性能と生産品質を向上できる方 ・中国語力、または英語力 【歓迎】・IGBTの装置構造と進化に関して独特な知見があり、 　　　　　7代目の装置への研究開発の能力のある方 ◆選考と雇用◆ 筆記試験:無　書類選考後、遠隔面接2～3回 試用期間:有　6ヶ月(試用期間中の勤務条件変更無) 履歴書・職務経歴書は英語での作成をお願いします。 ◆就業時間等◆ 9:30～18:00　休憩60分 フレックスタイム制:有　コアタイム10:00～15:00 ◆休日・休暇◆ 年間123日　完全週休二日制　土日祝休み 有給休暇入社直後1日、入社半年で10日付与 ◆社会保険◆ 健康保険、厚生年金、雇用保険、労災保険